1N5226A(DO-35)

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1N5226A(DO-35)
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5930
Microsemi Commercial Comp
2016+
-
公司现货！只做原装！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

1N5226A(DO-35) 技术参数

1N5226A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5226A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5225TA 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 950mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5225C-TR 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5225C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5226BTA 1N5226B-TAP 1N5226B-TP 1N5226BTR 1N5226B-TR 1N5226BUR-1 1N5226C-TAP 1N5226C-TR 1N5226TA 1N5227A (DO-35) 1N5227B 1N5227B (DO-35) 1N5227B A0G 1N5227B TR 1N5227B_T50A 1N5227B_T50R 1N5227B-T 1N5227BTA