1N5226B-TAP全国供应商【买卖IC网】1N5226B-TAP资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
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封装
批号
价格
说明
操作

1N5226B-TAP
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
VISHAY
DO35
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N5226B-TAP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Vishay General Semiconduc
DO-35
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

1N5226B-TAP*
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

1N5226B-TAP
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
20
VISHAY/威世
DO35
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

1N5226B-TAP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
56650
VISHAY SE
1521+
-
全新原装现货

1N5226B-TAP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4556
VISHAY
1425
-
原装正品，现货库存！

1N5226B-TAP
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4991
VISHAY
DO35
2220+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
稳压二极管 3.3 Volt 0.5W 5%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N5226B-TAP 技术参数

1N5226BTA 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 950mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5226B-T 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5226B-G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5226B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5226B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5227B (DO-35) 1N5227B A0G 1N5227B TR 1N5227B_T50A 1N5227B_T50R 1N5227B-T 1N5227BTA 1N5227B-TAP 1N5227B-TP 1N5227BTR 1N5227B-TR 1N5227BUR-1 1N5227C-TAP 1N5227C-TR 1N5227DO35E3 1N5227TA 1N5228A 1N5228A (DO-35)