1N963B.TR

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1N963B.TR
北京首天伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
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FAIRCHILD
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假一罚十，百分百原装正品

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1N963B.TR 技术参数

1N963B TR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N963B BK 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N963B 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N963A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N962BTR 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:9.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N964BTR 1N965A 1N965B 1N965B BK 1N965B TR 1N965B_S00Z 1N965B_T50A 1N965B_T50R 1N965BE3 1N965BTR 1N966A 1N966B 1N966B TR 1N966B_S00Z 1N966B_T50A 1N966B_T50R 1N966BTR 1N967A