2N5660

配单专家企业名单

型号
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封装
批号
价格
说明
操作

2N5660
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NSC
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N5660
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-66
25+
-
国产品牌，替代进口

2N5660
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-213AA
23+
-
微芯专营优势产品

2N5660
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
50008
YXYBDT台湾
TO-66
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 200V 2A 3PIN TO-66 - Bulk

2N5660 技术参数

2N5657G 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5657 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 2N5655G 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5655 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5639RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 标准包装:1,000 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769 2N5770 2N5770_D26Z 2N5770_D27Z 2N5770_D74Z 2N5770_D75Z 2N5771 2N5771_D26Z 2N5771_D27Z 2N5771_D74Z