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深圳市华芯盛世科技有限公司
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2N5883G. 技术参数

2N5883G 功能描述:TRANS PNP 60V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5883 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5882 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5881 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 功率 - 最大值:160W 标准包装:1 2N5880 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5950_J35Z 2N5951 2N5951_D27Z 2N5951_J35Z 2N5952 2N5952_D74Z 2N5952_D75Z 2N5952_J35Z 2N5953 2N5953_J35Z 2N5954 2N5956 2N5961 2N5961_D27Z 2N5962 2N5962_D26Z 2N5962_D74Z 2N5963