2N5885G全国供应商 2N5885G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N5885G
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
50789
ON Semiconductor
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

2N5885G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
100%原装
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

2N5885G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

2N5885G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-204 (TO-3)
ON
17+
-
原装正品。优势供应

2N5885G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

2N5885G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1195
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

2N5885G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
100
ON SEMICONDUCTOR
主营优势
1817
-
100%原装正品★终端免费供样★

2N5885G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
100000
ON
TO-3
15+
-
进口原装!现货供应,可开增值税发票.

2N5885G
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
ON
22+
-
原装正品

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1

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功能描述
两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N5885G 技术参数

2N5885 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 2N5884G 功能描述:TRANS PNP 80V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5884 功能描述:TRANS PNP 80V 25A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 2N5883G 功能描述:TRANS PNP 60V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5883 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5952 2N5952_D74Z 2N5952_D75Z 2N5952_J35Z 2N5953 2N5953_J35Z 2N5954 2N5956 2N5961 2N5961_D27Z 2N5962 2N5962_D26Z 2N5962_D74Z 2N5963 2N6027 2N6027G 2N6027RL1 2N6027RL1G