2N5912全国供应商【买卖IC网】2N5912资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N5912
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
MOT
CAN8
22+
-
全新原装现货供应

2N5912
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
853240
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

2N5912
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9331
MOT
CAN
12+
-
绝对公司原装现货

2N5912C
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
NSC
TO-396P
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

2N5912
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
500
CALOGIC
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

2N5912
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SILICONIX
2011
-
假一罚十，百分百原装正品

2N5912SP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
SI
CAN6
08+
-
百分百原装正品，质量保障价格及优

2N5912-2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3555
PHILIPS
SOP24
201320+
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

2N5912
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
500
CALOGIC LLC
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

您是不是要找： 2N5950 2N5950_J18Z 2N5950_J35Z 2N5951 2N5951_D27Z 2N5951_J35Z 2N5952 2N5952_D74Z 2N5952_D75Z

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功能描述
JFET 25V 1pA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

2N5912 技术参数

2N5886G 功能描述:TRANS NPN 80V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5886 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5885G 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5885 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 2N5884G 功能描述:TRANS PNP 80V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5952_J35Z 2N5953 2N5953_J35Z 2N5954 2N5956 2N5961 2N5961_D27Z 2N5962 2N5962_D26Z 2N5962_D74Z 2N5963 2N6027 2N6027G 2N6027RL1 2N6027RL1G 2N6027RLRA 2N6027RLRAG 2N6028