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2N7002-RTK/P

配单专家企业名单
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  • 2N7002-RTK/P
    2N7002-RTK/P

    2N7002-RTK/P

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 17800

  • KEC

  • SOT-23

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • 2N7002-RTK/P
    2N7002-RTK/P

    2N7002-RTK/P

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 10000

  • 原厂原装

  • SOT-23

  • 15+

  • -
  • 原装正品,价格优势!

  • 2N7002-RTK/P
    2N7002-RTK/P

    2N7002-RTK/P

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 41300

  • KEC

  • SOT-23

  • 06+rohs

  • -
  • 全新原装现货

  • 2N7002-RTK/P
    2N7002-RTK/P

    2N7002-RTK/P

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

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2N7002-RTK/P PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2N7002-RTK/P 技术参数
  • 2N7002PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70,SOT-323 标准包装:1 2N7002PV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):350mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 2N7002PT,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 2N7002PS/ZLX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):320mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 2N7002PS/ZLH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):320mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 2N7002TQ-7-F 2N7002T-TP 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008
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