2N7228全国供应商 2N7228资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

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价格
说明
操作

2N7228
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
3000
IR
TO-254
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

2N7228
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
200000
YXYBDT台湾
TO-3PF
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

2N7228
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

2N7228
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
原厂
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N7228
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9699
CESN
TO-254
13+
-
绝对公司原装现货

2N7228
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
330
IR
TO-254
+
-
全新原装现货

2N7228
航亿捷科技有限公司
航亿捷科技有限公司
联系人：张小姐
电话：13760346044
地址：福田区华强广场C座29G
131
Description
SENSITRON
18+
-
原装自有现货库存

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS MOSFET N-CH 500V 12A 3PIN TO-254 - Bulk

2N7228 技术参数

2N7227U 功能描述:MOSFET N-CH 400V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:315 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N7227 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:315 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-254-3，TO-254AA（直引线）供应商器件封装:TO-254AA 标准包装:1 2N7225U 功能描述:MOSFET N-CH 200V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N7225 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-254-3，TO-254AA（直引线）供应商器件封装:TO-254AA 标准包装:1 2N7224U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34A SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:81 毫欧 @ 34A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70