2SA1302,2SC3281,A1302,C3281

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2SA1302,2SC3281,A1302,C3281 技术参数

2SA1298-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1295 功能描述:TRANS PNP 230V 17A MT200 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:35MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-ESIP 供应商器件封装:MT-200 标准包装:250 2SA1294 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5A，4V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:35MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA1244-Y(Q) 功能描述:TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 150mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:200 2SA1242-Y(Q) 功能描述:TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:200 2SA1315-Y,HOF(M 2SA1315-Y,T6ASNF(J 2SA1381CSTU 2SA1381DSTU 2SA1381ESTU 2SA1381FSTU 2SA1382,T6MIBF(J 2SA1386 2SA1386A 2SA1407E 2SA1416S-TD-E 2SA1416T-TD-E 2SA1417S-TD-E 2SA1417T-TD-E 2SA1418S-TD-E 2SA1418T-TD-E 2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-H