2SK2225

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK2225-80
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3917
RENESAS
TO-3P
2233+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

2SK2225
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
360
RENESAS
TO-3P 货期两天
1204+
-
公司原装特价热卖

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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
TRANS MOSFET N-CH 1.5KV 2A 3PIN TO-3PFM - Rail/Tube

2SK2225 技术参数

2SK2221-E 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK221100L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:87pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740