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70V657S15BCI

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  • 制造商
  • Integrated Device Technology Inc
  • 功能描述
  • SRAM ASYNC DUAL 3.3V 1.125MBIT 32KX36 15NS 256BGA - Trays
70V657S15BCI 技术参数
  • 70V657S15BC8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 15ns 256-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 1.125MBIT 32KX36 15NS 256BGA - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM 70V657S15BC 功能描述:静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V657S12DRI 功能描述:静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V657S12DRGI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:6 70V657S12DR 功能描述:静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V658S10BFG8 70V658S10DR 70V658S10DRG 70V658S12BC 70V658S12BC8 70V658S12BCI 70V658S12BCI8 70V658S12BF 70V658S12BF8 70V658S12BFGI 70V658S12BFGI8 70V658S12BFI 70V658S12BFI8 70V658S12DR 70V658S12DRI 70V658S15BC 70V658S15BC8 70V658S15BF
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