AOD607A

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOD607A
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
DPAK/TO-252
25+
-
国产品牌，替代进口

AOD607A
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
AOS/ 万代
TO-252
22+
-
十年配单，只做原装

AOD607A
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4496
AOS
TO252
2208+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc），12A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
25 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 250μA，2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
395pF @ 15V，730pF @ 15V
功率 - 最大值
19W（Tc），30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装
TO-252-4L
标准包装
2,500

AOD607A 技术参数

AOD607_DELTA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V，37 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 4.5V，11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 15V，1100pF @ 15V 功率 - 最大值:25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD607_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD607 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道，共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD606 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道，共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W，1.7W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:1 AOD604 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W，1.7W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-6，DPak（5 引线 + 接片）供应商器件封装:TO-252-5 标准包装:1 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60 AOI1N60 AOI1N60L AOI206_002 AOI208 AOI2210