AON1634

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AON1634
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
21000
原厂封装
最新批号
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一级代理.原装特价现货！

AON1634
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
AO/万代
DFN-61.6X
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

AON1634
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12325
ALPHA & O
1521+
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全新原装现货

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制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin DFN EP
制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
MOSFET N-CH 30V 4A DFN1.6X1.6A

AON1634 技术参数

AON1620 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:770pF @ 6V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerUFDFN 供应商器件封装:6-DFN（1.6x1.6）标准包装:3,000 AON1611 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:550pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerUFDFN 供应商器件封装:6-DFN（1.6x1.6）标准包装:1 AON1610 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:29 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:748pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerUFDFN 供应商器件封装:6-DFN（1.6x1.6）标准包装:3,000 AON1606_001 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:275 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:850nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:62.5pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN（1.0 x 0.60）标准包装:1 AON1606 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:275 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:850nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:62.5pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN（1.0 x 0.60）标准包装:10,000 AON2407 AON2408 AON2409 AON2410 AON2411 AON2420 AON2701 AON2701_001 AON2701L#A AON2705 AON2705_001 AON2707 AON2800 AON2801 AON2801L AON2801L#A AON2802 AON2803