AON2705

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AON2705
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
DFN2x2
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON2705
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN22
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AON2705
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
AOS
近两年生产
DFN-6
-
每一片都来自原厂

AON2705 原装
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3396
AOS
DFN
2214+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
Trans MOSFET P-CH 30V 3A
制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
MOSFET P-CH -30V -3A DFN2X2

AON2705 技术参数

AON2701L#A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（2x2）标准包装:1 AON2701_001 功能描述:MOSFET P-CH W/DIODE DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:700pF @ 10V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN（2x2）封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON2701 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:3,000 AON2420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.7 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:552pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:1 AON2411 功能描述:MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 12A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2180pF @ 6V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN（2x2）标准包装:1 AON2810 AON2812 AON2880 AON3402 AON3414 AON3419 AON3611 AON3613 AON3806 AON3810 AON3814 AON3816 AON3816_101 AON3818 AON3820 AON4407 AON4407_003 AON4407L