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AON6152

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  • AON6152
    AON6152

    AON6152

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:许先生

    电话:18898761413

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • DFN56

  • 24+

  • -
  • 原装正品,可含税供应。品质保障

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
AON6152 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 45V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 125nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 8900pF @ 22.5V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 208W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 1.15 毫欧 @ 20A, 10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • 8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳
  • 8-PowerSMD,扁平引线
  • 标准包装
  • 3,000
AON6152 技术参数
  • AON6144 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):70nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3780pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):78W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:1 AON5820_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 10A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN(2x5) 标准包装:1 AON5820 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 10A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:5,000 AON5816 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 12A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 12A, 4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2170pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:5,000 AON5810 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 7.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1360pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:5,000 AON6220 AON6224 AON6226 AON6230 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236 AON6240 AON6242 AON6244 AON6246 AON6248 AON6250 AON6260 AON6262E AON6264E AON6266
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