AON6276

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说明
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AON6276
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
AOS
DFN5x6
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON6276
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN56
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4940pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
215W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.6 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
标准包装
3,000

AON6276 技术参数

AON6270 功能描述:MOSFET N-CH 75V 85A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31.5A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 37.5V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6268 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2520pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:56W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:1 AON6266E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:755pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:26W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:3,000 AON6266_101 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1340pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:3,000 AON6266 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1340pF @ 30V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6312 AON6314 AON6354 AON6358 AON6360 AON6362 AON6366E AON6368 AON6368P AON6370 AON6370_001 AON6370_002 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400