AON6354

配单专家企业名单

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说明
操作

AON6354
现货
东莞鼎岑科技有限公司
东莞鼎岑科技有限公司
联系人：莫
电话：18925581989
地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室
0
AOS
-

AON6354
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
DFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON6354
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
3000
AOS盘3K
DFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON6354
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
651
AOS/万代
DFN5x6
21+20+
-
651

AON6354
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN5x6-8LEP1
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AON6354
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
5852
AOS
DFN56
2222+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
83A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1330pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
36W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.3 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
标准包装
3,000

AON6354 技术参数

AON6314 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:32.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6312 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.85 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6298 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1307pF @ 50V 功率 - 最大值:7.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6294 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），52A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2265pF @ 50V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3830pF @ 50V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400 AON6400L_002 AON6403 AON6404 AON6404A AON6404A_001 AON6405L AON6407 AON6408L AON6410 AON6411 AON6411_001 AON6413