AON7400AL

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AON7400AL
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
ALPHA
QFN-8
23+
-
全新原装正品现货热卖

AON7400AL
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
DFN8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON7400AL
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
5052
AOS
DFN
15+
-
原装现货/特价

AON7400AL
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
22861
AOS/万代
DFN3*3
11+
-
真芯合作锐意进取

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功能描述
MOSFET N-CH 30V DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
24nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1380pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），25W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
7.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-DFN（3x3）
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
标准包装
5,000

AON7400AL 技术参数

AON7400A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），26A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1452pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7380 功能描述:MOSFET N-CH DFN 3X3 EP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:825pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:5,000 AON7296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），12.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:66 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:415pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），23A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1170pF @ 50V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）标准包装:1 AON7403 AON7403L_001 AON7404 AON7405 AON7406 AON7407 AON7408 AON7409 AON7410 AON7410L_101 AON7412 AON7414 AON7416 AON7416_101 AON7418 AON7418A AON7421 AON7422E