AOTF292L

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说明
操作

AOTF292L
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
884000
YXYBDT台湾
TO-220F
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

AOTF292L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220F
25+
-
国产品牌，替代进口

AOTF292L
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4075
AOS
TO220F
2204+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

AOTF292L
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
AOS
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 70A TO220F
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
126nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6775pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
47W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50

AOTF292L 技术参数

AOTF2918L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 58A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），58A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3430pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF2916L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF2910L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1190pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF290L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 72A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:126nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7180pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:48W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:50 AOTF288L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 10.5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta），43A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1871pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF404 AOTF409 AOTF4126 AOTF4185 AOTF42S60L AOTF450L AOTF454L AOTF472 AOTF474 AOTF4N60 AOTF4N60L AOTF4N90 AOTF4S60 AOTF4T60P AOTF5B60D AOTF5B65M1 AOTF5N100 AOTF5N50