APT30M85BVRG全国供应商 APT30M85BVRG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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批号
价格
说明
操作

APT30M85BVRG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT30M85BVRG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
APT
TO-247B
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT30M85BVRG
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

APT30M85BVRG
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
3500
APT
TO-247
12+/13+
-
原装现货/特价

APT30M85BVRG
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
MS
06+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT30M85BVRG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

APT30M85BVRG
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
APTMICROS
TO-247
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

APT30M85BVRG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
POWER MOS V®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

APT30M85BVRG 技术参数

APT30M85BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4950pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30M70SVRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5870pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3 [S] 标准包装:30 APT30M70BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5870pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30M70BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5870pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5890pF @ 25V 功率 - 最大值:355W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV