APT40GP90B2DF2

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

APT40GP90B2DF2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13480
APT
直插/贴片
2024+
-
绝对装原现货

APT40GP90B2DF2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT40GP90B2DF2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
07+
-
假一罚十，百分百原装正品

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您是不是要找： APT40GP90B2DQ2G APT40GP90BG APT40GP90J APT40GP90JDQ2 APT40GR120B APT40GR120B2D30 APT40GR120B2SCD10 APT40GR120S APT40GT60BRG

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APT40GP90B2DF2 技术参数

APT40GP60SG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ（开），352μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/64ns 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3 [S] 标准包装:1 APT40GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:86A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.61nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ（开），352μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/64ns 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT40GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ（开），350μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/64ns 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT40GLQ120JCU2 功能描述:POWER MOD 1200V 80A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:25μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT40M35JVFR APT40M42JN APT40M70JVFR APT40M70LVFRG APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B