APTGT225DA170G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGT225DA170G
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
14772
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原厂原装现货

APTGT225DA170G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGT225DA170G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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1

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功能描述
IGBT 1700V 340A 1250W SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT225DA170G 技术参数

APTGT225A170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 340A 1250W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:340A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，225A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:20nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT20X60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 功率 - 最大值:62W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT20TL601G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 功率 - 最大值:62W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.1pF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT20H60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 功率 - 最大值:62W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT20H60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 功率 - 最大值:62W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT300A120G APTGT300A170D3G APTGT300A170G APTGT300A60D3G APTGT300A60G APTGT300A60TG APTGT300DA120D3G APTGT300DA120G APTGT300DA170D3G APTGT300DA170G APTGT300DA60D3G APTGT300DA60G APTGT300DH60G APTGT300DU120G APTGT300DU170G APTGT300DU60G APTGT300H60G APTGT300SK120D3G