AO6800

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功能描述
MOSFET DUAL N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列
-
产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 4.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
Digi-Reel®
产品目录页面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR

AO6800 技术参数

AO6704 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:270pF @ 15V 功率 - 最大值:1.39W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6701 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.3A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:135 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:409pF @ 15V 功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6608 功能描述:MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V，20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A（Ta），3.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA，1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.25W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6604L_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A，2.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6604 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A，2.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6808_101 AO6810 AO7400 AO7401 AO7403 AO7403_001 AO7404 AO7405 AO7407 AO7408 AO7408L AO7410 AO7411 AO7412 AO7413 AO7413_030 AO7414 AO7414_001