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AOI418

配单专家企业名单
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AOI418 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 13.5A TO251A
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
AOI418 技术参数
  • AOI4146 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2440pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOI4144_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:1 AOI4130 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI4126 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Ta),43A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI4102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta),19A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37.5 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):432pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI482 AOI4C60 AOI4N60 AOI4S60 AOI4T60 AOI4T60P AOI4TL60 AOI508 AOI510 AOI514 AOI516 AOI516_001 AOI516_002 AOI518 AOI518_001 AOI530 AOI538 AOI5N40
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