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AON2801

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  • 说明
  • 操作
AON2801 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
  • 系列
  • -
  • 产品目录绘图
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫欧 @ 4.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装
  • PowerPAK? SO-8
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 产品目录页面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名称
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
AON2801 技术参数
  • AON2800 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):47 毫欧 @ 4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):435pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:3,000 AON2707 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):117 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):305pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:3,000 AON2705_001 功能描述:MOSFET P-CH W/DIO 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN(2x2) 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 标准包装:3,000 AON2705 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道、 肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):108 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):180pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:3,000 AON2701L#A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN(2x2) 标准包装:1 AON3414 AON3419 AON3611 AON3613 AON3806 AON3810 AON3814 AON3816 AON3816_101 AON3818 AON3820 AON4407 AON4407_003 AON4407L AON4407L_002 AON4407L_003 AON4420 AON4421
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