AON6932

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功能描述
MOS N CH DUAL 30V 28A 42A DFN5X6
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列
-
产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 4.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
Digi-Reel®
产品目录页面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR

AON6932 技术参数

AON6928 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A，30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:3.6W，4.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6926 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A，12A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W, 2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6924 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A，28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1560pF @ 15V 功率 - 最大值:2W，2.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN-EP（5x6）标准包装:1 AON6922 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A，31A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2340pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2W，2.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN-EP（5x6）标准包装:3,000 AON6920_001 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A，26.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1560pF @ 15V 功率 - 最大值:2W，2.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6971 AON6973A AON6974 AON6974A AON6978 AON6980 AON6992 AON6994 AON6996 AON6998 AON7140 AON7200 AON7200_101 AON7200_102 AON7200L AON7202 AON7202_101 AON7202L