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BFR30LT1G

配单专家企业名单
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  • 说明
  • 操作
  • BFR30LT1G
    BFR30LT1G

    BFR30LT1G

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 10000

  • ON

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • BFR30LT1G
    BFR30LT1G

    BFR30LT1G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ONS

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • BFR30LT1G
    BFR30LT1G

    BFR30LT1G

  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
    深圳市荣泽信电子科技有限公司

    联系人:荣泽信-晏S

    电话:18028731859

    地址:华富村东区417室

  • 10000

  • ON

  • 15+

  • -
  • 绝对进口原装特价真实库存,1天

  • BFR30LT1G
    BFR30LT1G

    BFR30LT1G

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 2520

  • ONS

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新进口

  • -
  • 原装现货热卖,停产偏冷优势供应!数量需确...

  • BFR30LT1G
    BFR30LT1G

    BFR30LT1G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 69200

  • ON

  • SOT-23

  • 18+

  • -
  • 全新原装,优势库存

  • 1/1页 40条/页 共27条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 射频JFET晶体管 25V 10mA
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 漏源电压 VDS
  • 40 V
  • 闸/源截止电压
  • 5 V
  • 闸/源击穿电压
  • 40 V
  • 最大漏极/栅极电压
  • 40 V
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss)
  • 25 mA to 75 mA
  • 漏极连续电流
  • 功率耗散
  • 250 mW
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOT-23
  • 封装
  • Reel
BFR30LT1G 技术参数
  • BFR30LT1 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):4mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 功率 - 最大值:225mW 标准包装:3,000 BFR30,235 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):4mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:10,000 BFR30,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):4mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BFR2821S1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR2821P1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 BFR360L3E6765XTMA1 BFR380FH6327XTSA1 BFR380L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1 BFR505,215 BFR505T,115 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR750L3RHE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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