BSP230135

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BSP230135
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NXP
原厂封装
09+
-
全新原装100%正品保证质量

BSP230135
北京元坤伟业科技有限公司
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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
P CH DMOS FET -300V -210MA
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223

BSP230135 技术参数

BSP230,135 功能描述:MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:210mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.55V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 欧姆 @ 170mA，10V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BSP225,115 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:225mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BSP220,115 功能描述:MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:225mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BSP19TA 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP19AT1G 功能描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115