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BSS806NEH6327XTSA1

配单专家企业名单
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  • BSS806NEH6327XTSA1
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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • INFINEON

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  • 场效应管

  • BSS806NEH6327XTSA1
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

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  • INFINEON

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  • BSS806NEH6327XTSA1
    BSS806NEH6327XTSA1

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • BSS806NEH6327XTSA1
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

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  • 优势库存,原装正品

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

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    电话:18724450645

    地址:中国上海

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  • 优势库存,原装正品

  • BSS806NEH6327XTSA1
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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

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  • Infineon Technologies

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  • BSS806NEH6327XTSA1
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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • INFINEON

  • 原厂原装

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SMALL SIGNAL+P-CH - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
BSS806NEH6327XTSA1 技术参数
  • BSS806N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):529pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS79C 功能描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS7728NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS7728NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:有效 标准包装:3,000 BSS7728NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL
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