BSZ0908NDXTMA1

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSZ0908NDXTMA1
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
12560
INFINEON/英飞凌
PG-TSDSON-8
22+
-
原厂原装现货

BSZ0908NDXTMA1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3736
INFINEON
TSDSON8
2221+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NSATMA1 BSZ0910NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ097N04LS G BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ0994NSATMA1 BSZ099N06LS5ATMA1

BSZ0908NDXTMA1 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSZ0908NDXTMA1 PDF下载

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

BSZ0908NDXTMA1 技术参数

BSZ0904NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1463pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），37W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ0904NSI 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:37W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ0902NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），48W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ0902NSI 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ0902NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），48W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N06LS3 G BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06NSATMA1 BSZ105N04NS G BSZ105N04NSGATMA1 BSZ110N06NS3 G BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ130N03LS G BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G