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BUK662R5-30C118

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BUK662R5-30C118 技术参数

BUK662R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:114nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6960pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:204W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK662R4-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:199nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11334pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK661R9-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:260nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:15100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK661R8-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:168nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10918pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK661R6-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:229nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14964pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK6C3R3-75C,118 BUK6D43-40PX BUK6D43-60EX BUK6E2R0-30C,127 BUK6E2R3-40C,127 BUK6E3R2-55C,127 BUK6E3R4-40C,127 BUK6E4R0-75C,127 BUK7105-40AIE,118 BUK7105-40ATE,118 BUK7107-40ATC,118 BUK7107-55AIE,118 BUK7107-55ATE,118 BUK7108-40AIE,118 BUK7109-75AIE,118 BUK7109-75ATE,118 BUK714R1-40BT,118 BUK7207-30B,118