BUK9880-55,135

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BUK9880-55,135
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
NXP Semiconductors
原厂原装封
15+
-
原装正品，假一罚十

BUK9880-55,135
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SC-73
18+
-
MOSFET N-CH 55V 7.5A...

BUK9880-55,135
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3555
Philips
ROHS
201320+
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

BUK9880-55,135
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1716+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BUK9880-55,135
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
911
NXP
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BUK9880-55,135 技术参数

BUK9875-100A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:72 毫欧 @ 8A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BUK9875-100A,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:72 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BUK9840-55/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），10.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 5A，5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BUK9840-55,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BUK9832-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1594pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:29 毫欧 @ 8A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BUK9C5R3-100EJ BUK9D23-40EX BUK9E04-30B,127 BUK9E04-40A,127 BUK9E06-55A,127 BUK9E06-55B,127 BUK9E08-55B,127 BUK9E15-60E,127 BUK9E1R6-30E,127 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 BUK9E2R3-40E,127 BUK9E2R8-60E,127 BUK9E3R2-40B,127 BUK9E3R2-40E,127 BUK9E3R7-60E,127 BUK9E4R4-40B,127 BUK9E4R4-80E,127