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BUK9Y113-100E,115

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BUK9Y113-100E,115
    BUK9Y113-100E,115

    BUK9Y113-100E,115

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装假一罚十

  • BUK9Y113-100E,115
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • BUK9Y113-100E,115
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    BUK9Y113-100E,115

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 13620

  • NXP

  • N/A

  • 23+

  • -
  • 只做全新原装正品现货

  • BUK9Y113-100E,115
    BUK9Y113-100E,115

    BUK9Y113-100E,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 100V LFP...

  • BUK9Y113-100E,115
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • BUK9Y113-100E,115
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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 7070

  • NXP/恩智浦

  • NA

  • 16+

  • -
  • 7070

  • BUK9Y113-100E,115
    BUK9Y113-100E,115

    BUK9Y113-100E,115

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 201000

  • NXP/恩智浦

  • NA

  • 22+

  • -
  • 可订货,请确认

  • BUK9Y113-100E,115
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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 3000

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -
  • 瑞智芯只做原装上传有货

  • BUK9Y113-100E,115
    BUK9Y113-100E,115

    BUK9Y113-100E,115

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

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BUK9Y113-100E,115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V LFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 8.4nC @ 5V
  • Vgs(最大值)
  • ±10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 870pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 45W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 110 毫欧 @ 5A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳
  • SC-100,SOT-669
  • 标准包装
  • 1
BUK9Y113-100E,115 技术参数
  • BUK9Y11-30B/C1,115 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件状态:停產 标准包装:1,500 BUK9Y11-30B,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):59A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16.5nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1614pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):75W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y107-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.8A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6.2nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):706pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):37W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):98 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y104-100B,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.8A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1139pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):59W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):99 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y09-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2866pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):105.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y15-60E,115 BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B/C2,115 BUK9Y19-75B,115 BUK9Y21-40E,115 BUK9Y22-100E,115 BUK9Y22-30B,115 BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-80E,115 BUK9Y27-40B,115 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y30-75B,115 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115
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