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BUK9Y19-75B

配单专家企业名单
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  • BUK9Y19-75B
    BUK9Y19-75B

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 15370

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

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  • 全新原装正品现货热卖

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    BUK9Y19-75B

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

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  • NEXPERIA/安世

  • SMD

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  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • BUK9Y19-75B
    BUK9Y19-75B

    BUK9Y19-75B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

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  • BUK9Y19-75B,115
    BUK9Y19-75B,115

    BUK9Y19-75B,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • BUK9Y19-75B,115
    BUK9Y19-75B,115

    BUK9Y19-75B,115

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 标准封装

  • 15+

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  • 百分百原装假一罚十

  • BUK9Y19-75B,115
    BUK9Y19-75B,115

    BUK9Y19-75B,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

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  • MOSFET N-CH 75V 48.2...

  • BUK9Y19-75B
    BUK9Y19-75B

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 30000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

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  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • BUK9Y19-75B
    BUK9Y19-75B

    BUK9Y19-75B

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9789

  • NXP

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  • 绝对公司原装现货

  • BUK9Y19-75B,115
    BUK9Y19-75B,115

    BUK9Y19-75B,115

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

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  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • BUK9Y19-75B
    BUK9Y19-75B

    BUK9Y19-75B

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人:

    电话:18320850923

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 50000

  • 19+

  • -
  • 全新进口原装现货

  • BUK9Y19-75B
    BUK9Y19-75B

    BUK9Y19-75B

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 706

  • nxp

  • lfpak56

  • 15+

  • -
  • 进口原装现货,一定自己库存

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 75V 48.2A LFPAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 75V, 48.2A, LFPAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 75V, 48.2A, LFPAK; Transistor Polarity
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
BUK9Y19-75B 技术参数
  • BUK9Y19-55B/C2,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):46A 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1992pF @ 25V FET 功能:- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17.3 毫欧 @ 20A,10V 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1,500 BUK9Y19-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):46A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1992pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):85W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17.3 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y19-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):39nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5085pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y15-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):17.2nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2603pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):95W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y153-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.4A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6.8nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):716pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):37W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):146 毫欧 @ 2A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115 BUK9Y41-80E,115 BUK9Y43-60E,115 BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y59-60E,115 BUK9Y65-100E,115 BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y72-80E,115 BUK9Y7R2-60E,115 BUK9Y7R6-40E,115 BUK9Y7R8-80E,115
配单专家

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