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BUK9Y7R6-40E

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • BUK9Y7R6-40E
    BUK9Y7R6-40E

    BUK9Y7R6-40E

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • BUK9Y7R6-40E
    BUK9Y7R6-40E

    BUK9Y7R6-40E

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP

  • LFPAK56

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • BUK9Y7R6-40E,115
    BUK9Y7R6-40E,115

    BUK9Y7R6-40E,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 40V LFPA...

  • BUK9Y7R6-40E
    BUK9Y7R6-40E

    BUK9Y7R6-40E

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 115

  • 17835

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -
  • BUK9Y7R6-40E,115
    BUK9Y7R6-40E,115

    BUK9Y7R6-40E,115

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • NXP

  • 原厂原装

  • 1706+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • BUK9Y7R6-40E
    BUK9Y7R6-40E

    BUK9Y7R6-40E

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 30000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • -
  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • BUK9Y7R6-40E,115
    BUK9Y7R6-40E,115

    BUK9Y7R6-40E,115

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 3000

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -
  • 瑞智芯只做原装上传有货

  • BUK9Y7R6-40E,115
    BUK9Y7R6-40E,115

    BUK9Y7R6-40E,115

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • Philips Semiconducto

  • N/A

  • 15+

  • -
  • 原装正品 价格优势!

  • BUK9Y7R6-40E
    BUK9Y7R6-40E

    BUK9Y7R6-40E

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 50

  • nxp

  • na

  • 17+

  • -
  • 进口原装现货,一定自己库存

  • 1/1页 40条/页 共21条 
  • 1
BUK9Y7R6-40E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK
BUK9Y7R6-40E 技术参数
  • BUK9Y7R2-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5026pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 基本零件编号:* 标准包装:1 BUK9Y72-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.9nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):898pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 基本零件编号:* 标准包装:1 BUK9Y6R0-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):39.4nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6319pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):195W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y65-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):14nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1523pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):64W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):63.3 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 BUK9Y59-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16.7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6.1nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):715pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):37W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 基本零件编号:* 标准包装:1 BU-L000-500TIN BU-L00-375 BU-L00-375TIN BU-L00-500TIN BU-L0-375 BU-L0-375TIN BU-L0-500TIN BUL1102E BUL1102EFP BUL1203E BUL1203EFP BUL128 BUL128D-B BUL128FP BUL128-K BU-L1-375TIN BUL138 BUL138FP
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