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C2N

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  • C2N7002DW1T1G
    C2N7002DW1T1G

    C2N7002DW1T1G

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生13360533550

    电话:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田区华富路航都大厦11F

    资质:营业执照

  • 5800

  • ON/安森美

  • NA

  • 22+

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  • 原厂原装现货

  • C2NB-30A
    C2NB-30A

    C2NB-30A

  • 深圳市深科创科技有限公司
    深圳市深科创科技有限公司

    联系人:吴先生/吴小姐/朱先生

    电话:0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址:深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票

  • 7500

  • 中北创新

  • 2020+

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  • 全新原装现货 渠道优势库存 假一罚十

  • C2N
    C2N

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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • N/A

  • SOT-89

  • 22+

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  • 全新原装现货供应

  • C2N
    C2N

    C2N

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • KEC

  • SOT23

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • C2N92AE
    C2N92AE

    C2N92AE

  • 深圳市煌盛达科技有限公司
    深圳市煌盛达科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13823538694

    地址:平湖华南城华利嘉

    资质:营业执照

  • 12000

  • HP

  • 原厂原封

  • 20+

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  • 原装库存,全新进口,可电13689551...

  • C2N3643
    C2N3643

    C2N3643

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 20000

  • 原厂品牌

  • 原厂标准封装

  • 14+

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  • 全新原装,进口现货,准时交货,量大优惠

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C2N 技术参数
  • C2M1000170J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1700V(1.7kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 500μA(标准) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7(直引线) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 C2M1000170J 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1700V(1.7kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 500μA(标准) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7(直引线) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 C2M1000170D 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1700V(1.7kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 2A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):191pF @ 1000V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0280120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):370 毫欧 @ 6A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA(标准) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20.4nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):259pF @ 1000V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0160120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):196 毫欧 @ 10A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32.6nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):527pF @ 800V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M C2PXG-2436G C2PXG-2436M C2PXG-4006G C2PXG-4006M
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