C3D25170H全国供应商【买卖IC网】C3D25170H资料|PDF Datasheet|价格 Cree/Wolfspeed

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C3D25170H
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
295
Cree, Inc.
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

C3D25170H
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
CreeInc
TO247-2
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

C3D25170H
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247-2
25+
-
国产品牌，替代进口

C3D25170H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
520
CREE
1521+
INC
-

C3D25170H
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
Cree Inc
原厂包装
20+
-
现货，期货，原装正品，诚信交易

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功能描述
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 25A
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
最大浪涌电流
配置
Crossover Quad
恢复时间
正向电压下降
370 mV
最大反向漏泄电流
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Reel

C3D25170H 技术参数

C3D20065D 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 650V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C3D20060D 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C3D1P7060Q 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 600V 1.7A (DC) Surface Mount 10-Power QFN (3.3x3.3) 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1.7A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1.7A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:100pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:10-PowerTQFN 供应商器件封装:10-Power QFN（3.3x3.3）工作温度 - 结:-55°C ~ 160°C 标准包装:1 C3D16065D 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:8A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 8A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 650V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C3D16065A 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 39A (DC) Through Hole TO-220-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:在售二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:39A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 16A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:95μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:878pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:50 C3DDG-1418G C3DDG-1418M C3DDG-1436G C3DDG-1436M C3DDG-1606G C3DDG-1606M C3DDG-1618G C3DDG-1618M C3DDG-1636G C3DDG-1636M C3DDG-2006G C3DDG-2006M C3DDG-2018G C3DDG-2018M C3DDG-2036G C3DDG-2036M C3DDG-2606G C3DDG-2606M

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