CEDM7004VL TR

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CEDM7004VL TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CEDM7004VL TR PBFREE
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
72162
Central Semiconductor Cor
SC-101, SOT-883
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

CEDM7004VL TR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
4392
Central Semiconductor
SOT-883VL
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

CEDM7004VL TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
20475
CENTRAL S
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
450mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.79nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
43pF @ 25V
功率 - 最大值
100mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-101，SOT-883
供应商器件封装
SOT-883VL
标准包装
1

CEDM7004VL TR 技术参数

CEDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.78A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:1 CEDM7004 BK 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.78A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:8,000 CEDM7002AE TR 功能描述:MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883L 标准包装:1 CEDM7001VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883VL 标准包装:1 CEDM7001 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:1 CEE2X34PF-102FELF CEE2X60PF102PY4 CEE2X60PF102PY4LF CEE2X66PF102FELF CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G