配单专家企业名单

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批号
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说明
操作

CMUDM8005
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
CENTRAL
SOT-523
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！

CMUDM8005TRPB-FREE
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
8660
Central Semi
SOT523
1728+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

CMUDM8005 TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CMUDM8005
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
CENTRAL
SOT-523
15+
-
原装正品，假一罚十

CMUDM8005 TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
CENTRAL S
REEL
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

CMUDM8005 技术参数

CMUDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM7005 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:230 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM7001 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUSBAAAW CMUSBAABL CMUSBAAEI CMUSBAAIG CMUSBAAIW CMUSBAAWH CMUSH05-4 TR CMUSH2-4 TR CMUSH2-4A TR CMUSH2-4S TR CMUT19 CMUT2222A BK CMUT2222A TR CMUT2907A BK CMUT2907A TR CMUT3904 BK CMUT3904 TR CMUT5087E TR

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