CPC3902ZTR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共5条
1

您是不是要找： CPC3909CTR CPC3909ZTR CPC3960ZTR CPC3980ZTR CPC3982TTR CPC40055ST CPC44055ST CPC5001G CPC5001GS

CPC3902ZTR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CPC3902ZTR PDF下载

功能描述
MOSFET N-CH 250V SOT-223
制造商
ixys integrated circuits division
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
230pF @ 20V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.8W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.5 欧姆 @ 300mA， 0V
工作温度
-55°C ~ 110°C（TA）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
标准包装
1

CPC3902ZTR 技术参数

CPC3902CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-243AA 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 300mA， 0V 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-89 封装/外壳:TO-243AA 标准包装:1,000 CPC3730C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:200 CPC3720C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:200 CPC3714C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:200 CPC3710CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR CPC5610A CPC5610ATR CPC5611A CPC5611ATR CPC5620A CPC5620ATR CPC5621A