CPH5901F-TL-E

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说明
操作

CPH5901F-TL-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
795000
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

CPH5901F-TL-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6755
ON Semiconductor
ROHS
201321
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

CPH5901F-TL-E
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
6000
SANYO
SOT23-5
14+
-
原装现货/特价

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功能描述
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

CPH5901F-TL-E 技术参数

CPH5871-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH5852-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A CPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式），逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:1 CPH5617-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 80mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-SMD，鸥翼型供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH5541-TL-E 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V/30V 0.7A 5CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP（耦合发射器）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V，30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:190mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:540MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH5524-TL-E 功能描述:TRANS NPN/PNP 50V 3A 5CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP（耦合发射器）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:240mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:380MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:1 CPH6020-TL-E CPH6021-TL-H CPH6071-TL-E CPH6102-TL-E CPH6121-TL-E CPH6122-TL-E CPH6123-TL-E CPH6153-P-TL-E CPH6153-TL-E CPH6223-TL-E CPH6311-TL-E CPH6337-TL-E CPH6337-TL-W CPH6341-M-TL-E CPH6341-M-TL-W CPH6341-TL-E CPH6341-TL-W CPH6347-TL-H