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CPH6904-TL-E
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
6000
ON/安森美
NA
-
6000

CPH6904-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ON
SOT-163
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CPH6904-TL-E
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
3000
ON/安森美
NA
22+
-
可订货，请确认

CPH6904-TL-E
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
ON
SC-74
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

CPH6904-TL-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6755
ON Semiconductor
SC-74
201321
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

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1

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
N-Channel Silicon MOSFET High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications

CPH6904 技术参数

CPH6636R-TL-W 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6635-TL-H 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V，20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA，1.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 80mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6616-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.5A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:187pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6615-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A，1.8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:187pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6539-TL-H 功能描述:TRANS 2NPN 30V 1.5A 6CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 15mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH-E34/14/9-1S-12PD-Z CPH-E42/21/15-1S-10P CPH-E55/28/21-1S-22P-Z CPH-E56/24/19-1S-12PD-Z CP-HRMJU.FLJC-1A CPHS-EP13-1S-10P-Z CPHS-EP13-2S-10P-Z CPH-U15/11/6-1S-4P CPH-U15/11/6-2S-4P CPH-U20/16/7-1S-4P CPI0805E3R3R-10 CPI0805E4R7R-10 CPI0805F2R2R-10 CPI0805G1R5R-10 CPI0805G1R8R-10 CPI0805H1R0R-10 CPI0805H1R2R-10 CPI0805IR82R-10

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