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CRZ16(TE85L)

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  • CRZ16(TE85L)
    CRZ16(TE85L)

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • 1206

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理,原装正品现货!

  • CRZ16(TE85L)
    CRZ16(TE85L)

    CRZ16(TE85L)

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 15000

  • TOSHIBA

  • 1206

  • 0601+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • Diode Zener Single 16V 10% 700mW 2-Pin S-FLAT T/R
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
CRZ16(TE85L) 技术参数
  • CRZ15(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 15V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:1 CRZ13(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CRZ12(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CRZ12(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 12V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CRZ11(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707 CS00096AC-J1-18E-0032.7707E CS-00505
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