CSD13306WT全国供应商 CSD13306WT资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

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价格
说明
操作

CSD13306WT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
DSBGA (YZC)
19
-
瑞智芯只有原装

CSD13306WT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD13306WT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
27112
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD13306WT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2000
TEXAS INS
1521+
-
全新原装现货

CSD13306WT
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

CSD13306WT
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3742
TI
DSBGA6
2226+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
10.2m? @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
11.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1370pF @ 6V
功率 - 最大值
1.9W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装
6-DSBGA（1x1.5）
标准包装
1

CSD13306WT 技术参数

CSD13303W1015 功能描述:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 mOhm @ 1.5A、 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:715pF @ 6V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD13202Q2 功能描述:MOSFET N-CH 12V 76A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.3 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:997pF @ 6V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD13201W10 功能描述:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:462pF @ 6V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:4-DSBGA（1x1）标准包装:1 CSD12126SS 功能描述:BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件状态:在售容器类型:盒大小/尺寸:12.008" 长 x 12.008" 宽（305.00mm x 305.00mm）高度:5.984"（152.00mm）面积（L x W）:144 in2（929 cm2）设计:铰链式门，盖材料:金属，不锈钢颜色:天然厚度:16 号特性:密封垫，不锈钢铰链，壁装等级:IP66，NEMA 3R，4，4X，12，13，UL-508A 材料可燃性等级:- 发货信息:从 Digi-Key 运送重量:14 磅（6.4kg）标准包装:1 CSD12126 功能描述:BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件状态:在售容器类型:盒大小/尺寸:12.008" 长 x 12.008" 宽（305.00mm x 305.00mm）高度:5.984"（152.00mm）面积（L x W）:144 in2（929 cm2）设计:铰链式门，盖材料:金属 - 钢颜色:灰色厚度:18 号特性:密封垫，壁装等级:IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等级:- 发货信息:从 Digi-Key 运送重量:12 磅（5.4kg）标准包装:1 CSD15380F3 CSD15380F3T CSD15571Q2 CSD16126 CSD16128 CSD161610 CSD16166 CSD16166SS CSD16168 CSD16168SS CSD16208 CSD16208SS CSD16301Q2 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3

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