CSD13380F3

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD13380F3
现货
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4844
TI德州仪器
PICOSTAR3
2306+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

CSD13380F3
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
3000
TI原厂原装
PICOSTAR3
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CSD13380F3
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(YJM)
19
-
瑞智芯只有原装

CSD13380F3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
3-SMD，无引线
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： CSD13380F3T CSD13381F4 CSD13381F4T CSD13383F4 CSD13383F4T CSD13385F5 CSD13385F5T CSD144 CSD15380F3

CSD13380F3 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CSD13380F3 PDF下载

功能描述
MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
156pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
76 毫欧 @ 400mA，4.5V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
3-PICOSTAR
封装/外壳
3-XFDFN
标准包装
1

CSD13380F3 技术参数

CSD13306WT 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.2m? @ 1.5A, 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1370pF @ 6V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA（1x1.5）标准包装:1 CSD13303W1015 功能描述:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 mOhm @ 1.5A、 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:715pF @ 6V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD13202Q2 功能描述:MOSFET N-CH 12V 76A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.3 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:997pF @ 6V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD13201W10 功能描述:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:462pF @ 6V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:4-DSBGA（1x1）标准包装:1 CSD12126SS 功能描述:BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件状态:在售容器类型:盒大小/尺寸:12.008" 长 x 12.008" 宽（305.00mm x 305.00mm）高度:5.984"（152.00mm）面积（L x W）:144 in2（929 cm2）设计:铰链式门，盖材料:金属，不锈钢颜色:天然厚度:16 号特性:密封垫，不锈钢铰链，壁装等级:IP66，NEMA 3R，4，4X，12，13，UL-508A 材料可燃性等级:- 发货信息:从 Digi-Key 运送重量:14 磅（6.4kg）标准包装:1 CSD15380F3T CSD15571Q2 CSD16126 CSD16128 CSD161610 CSD16166 CSD16166SS CSD16168 CSD16168SS CSD16208 CSD16208SS CSD16301Q2 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C