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CSD13385F5

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CSD13385F5
    CSD13385F5

    CSD13385F5

    现货
  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：廖小姐

    电话：13410012158

    地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 1600

  • TI

  • PICOSTAR-3

  • 19+

  • -

  • CSD13385F5
    CSD13385F5

    CSD13385F5

  • 深圳市深科创科技有限公司
    深圳市深科创科技有限公司

    联系人：吴先生/吴小姐/朱先生

    电话：0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票

  • 7500

  • TI/德州仪器

  • 2020+

  • -

  • 全新原装现货 渠道优势库存 假一罚十

  • CSD13385F5
    CSD13385F5

    CSD13385F5

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质：营业执照

  • 111315

  • Ti

  • (YJK)

  • 20

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD13385F5
    CSD13385F5

    CSD13385F5

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 21000

  • TI

  • PICOSTAR-3

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • CSD13385F5
    CSD13385F5

    CSD13385F5

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 1179

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 集成电路（IC）

  • CSD13385F5
    CSD13385F5

    CSD13385F5

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 29106

  • TI/德州仪器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原装

  • CSD13385F5
    CSD13385F5

    CSD13385F5

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人：许先生

    电话：18898761413

    地址：华强北都会轩4507

    资质：营业执照

  • 3000

  • TI/德州仪器

  • 24+

  • -

  • 原装正品，可含税供应。品质保障

  • CSD13385F5
    CSD13385F5

    CSD13385F5

  • 深圳市华雄半导体（集团）有限公司
    深圳市华雄半导体（集团）有限公司

    联系人：苗凤军

    电话：17623594308

    地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质：营业执照

  • 3670

  • TI/华雄半导体

  • PICOSTAR-3

  • 2201+

  • -

  • 十年专营，供应原装正品！热卖现货！

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • FemtoFET?
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
  • 12V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 7.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 1.8V，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
  • 5nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • 8V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
  • 674pF @ 6V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 500mW（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 19 毫欧 @ 900mA，4.5V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 供应商器件封装
  • 3-PICOSTAR
  • 封装/外壳
  • 3-XFDFN
  • 标准包装
  • 1
CSD13385F5 技术参数
  • CSD13383F4T 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.9A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:291pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD13383F4 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.9A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:291pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD13381F4T 功能描述:MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD13381F4 功能描述:MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD13380F3T 功能描述:12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:156pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:76 毫欧 @ 400mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD16166SS CSD16168 CSD16168SS CSD16208 CSD16208SS CSD16301Q2 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5 CSD16325Q5C CSD16327Q3 CSD16327Q3T CSD16340Q3 CSD16340Q3T
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