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CSD17308Q3T

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑女士

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1010

    资质:营业执照

  • 868

  • TI/德州仪器

  • NA

  • 16+

  • -
  • 868

  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 321195

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 优势库存,原装正品

  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 321195

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 321195

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 321195

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 7730

  • Ti

  • (DQG)

  • 21

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 5750

  • TI/德州仪器

  • NA

  • 22+

  • -
  • 可订货,请确认

  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CSD17308Q3T
    CSD17308Q3T

    CSD17308Q3T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 29282

  • TI/德州仪器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原装

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CSD17308Q3T PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 50A
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 50A(Ta),44A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 10.3 毫欧 @ 10A,8V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 5.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 700pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.7W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
  • 8-VSON(3.3x3.3)
  • 标准包装
  • 1
CSD17308Q3T 技术参数
  • CSD17308Q3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 47A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),47A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.3 毫欧 @ 10A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(3.3x3.3) 标准包装:1 CSD17307Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta),73A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 11A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17306Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 毫欧 @ 22A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2170pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17305Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 30A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17304Q3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 56A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),56A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 17A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):955pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(3.3x3.3) 标准包装:1 CSD17318Q2T CSD17322Q5A CSD17327Q5A CSD17381F4 CSD17381F4T CSD17382F4 CSD17382F4T CSD17483F4 CSD17483F4T CSD17484F4 CSD17484F4T CSD17501Q5A CSD17505Q5A CSD17506Q5A CSD17507Q5A CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A
配单专家

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