CSD17313Q2Q1全国供应商 CSD17313Q2Q1资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

CSD17313Q2Q1
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TI/德州仪器
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

CSD17313Q2Q1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
319165
TI
con
24+
-

CSD17313Q2Q1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
319165
TI
con
24+
-

CSD17313Q2Q1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TI
WSON6
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

CSD17313Q2Q1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
319165
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD17313Q2Q1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
319165
TI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

CSD17313Q2Q1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
319165
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD17313Q2Q1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD17313Q2Q1
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
TI
近两年生产
DFN-6
-
每一片都来自原厂

CSD17313Q2Q1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
TI
SMD
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

CSD17313Q2Q1
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
1500
VISHAY
DO-214AA
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

CSD17313Q2Q1
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
3000
TI/德州仪器
QFN
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

CSD17313Q2Q1
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
120
TI
SMD
-
原装现货/特价

CSD17313Q2Q1
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
8700
TI
SMD
18+
-
只做全新原装

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功能描述
MOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

CSD17313Q2Q1 技术参数

CSD17313Q2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 4A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD17312Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 35A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5240pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17311Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 30A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4280pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17310Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.1 毫欧 @ 20A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1560pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17309Q3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.4 毫欧 @ 18A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1440pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD17382F4T CSD17483F4 CSD17483F4T CSD17484F4 CSD17484F4T CSD17501Q5A CSD17505Q5A CSD17506Q5A CSD17507Q5A CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A

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