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CSD17382F4

配单专家企业名单
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 321180

  • TI

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  • 优势库存,原装正品

  • CSD17382F4
    CSD17382F4

    CSD17382F4

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 321180

  • TI

  • con

  • 24+

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  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • CSD17382F4
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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 321180

  • TI

  • con

  • 24+

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  • CSD17382F4
    CSD17382F4

    CSD17382F4

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 0

  • TI

  • con

  • 24+

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  • 集成电路(IC)

  • CSD17382F4
    CSD17382F4

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 321180

  • TI

  • con

  • 24+

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  • CSD17382F4
    CSD17382F4

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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 0

  • Ti

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  • 19

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  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD17382F4T
    CSD17382F4T

    CSD17382F4T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

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  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CSD17382F4
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    CSD17382F4

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 29121

  • TI/德州仪器

  • N/A

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  • 瑞智芯, 只有原装

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3433

  • TI 德州仪器

  • PICOSTAR-3

  • 2209+

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CSD17382F4 技术参数
  • CSD17381F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):109 毫欧 @ 500mA,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD17381F4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):109 毫欧 @ 500mA,8A 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD17327Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12.2 毫欧 @ 11A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):506pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17322Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):87A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.8 毫欧 @ 14A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):695pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17318Q2T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):879pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):16W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15.1 毫欧 @ 8A, 8V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-WSON(2x2) 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 标准包装:1 CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T CSD17570Q5B CSD17570Q5BT CSD17571Q2 CSD17573Q5B CSD17573Q5BT
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